Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG
- RS-varenummer:
- 248-9309
- Producentens varenummer:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 67.255,00
(ekskl. moms)
Kr. 84.069,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 67,255 | Kr. 67.255,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-9309
- Producentens varenummer:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | IMBG | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie IMBG | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF
Overlegen gate-oxid pålidelighed
TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd
Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur
Øget lavine-kapacitet
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V Forbedring TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 18 A 1200 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 64 A 100 V N TO-263, IMBF
- Infineon N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 230 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 75 V HEXFET