Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, IMBF
- RS-varenummer:
- 249-6949
- Producentens varenummer:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 18.607,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.259,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 18,607 | Kr. 18.607,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6949
- Producentens varenummer:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IMBF | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IMBF | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon siliciumcarbid MOSFET reducerer systemets kompleksitet. Den kører direkte fra flyback-controlleren. Effektivitetsforbedring og reduktion af køleindsatsen. Aktiverer højere frekvens.
Revolutionerende halvledermateriale - siliciumkarbid
Optimeret til flyback-topologier
12V/0V gate-source spænding kompatibel med de fleste fly-back kontrollere
Meget lave koblingstab
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V
Fuldt kontrollerbar DV/dt til EMI-optimering
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 64 A 100 V N TO-263, IMBF
- Infineon Type N-Kanal 64 A 75 V N TO-263, IMBG
- Infineon Type N-Kanal 64 A 75 V Forbedring TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 7 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V N TO-263, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 18 A 1200 V N TO-263, IMBG
