Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, IMBF

RS-varenummer:: 249-6949
Producentens varenummer:: IMBF170R450M1XTMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, IMBF

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 21.273,00

(ekskl. moms)

Kr. 26.591,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 21,273	Kr. 21.273,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 249-6949
Producentens varenummer:: IMBF170R450M1XTMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	64A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	IMBF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	1.7mΩ
	Kanalform	N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-263
	Serie IMBF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ
	Kanalform N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IMBF170R450M1XTMA1

Infineon IMBF seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 64 A kontinuerlig drain-strøm - IMBF170R450M1XTMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og giver lave ledningstab og god effekthåndtering i systemer, der kræver robust gate-drive-styring.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 1,7 mΩ reducerer ledningstab og varme
• 100 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching-anvendelser
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter højstrømsstrømstrin
• 81 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv omskiftning med moderat drev
• 20 V gate-source-grænse giver margen til robuste gate-drive-design

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-omformere i industrielle strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin i strøm-elektroniksystemer
• Anvendes til belastningsswitching i stærkstrømsbatteristyring
• Kan bruges til synkron ensretning i effektomformere
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler på kompakte kort

Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for hurtig omskiftning?

Brug en driver, der kan forsyne og forsyne 80 nC gate-ladningen for at opnå den ønskede dV/dt, samtidig med at du håndterer skiftetab.

Hvordan skal termisk styring tilgås i konstruktioner?

Implementer tilstrækkeligt kobberområde på printkort og termiske ledninger under TO-263-fodaftrykket for at sprede 81 W samledåb under kontinuerlig drift.

Hvilke grænser beskytter enheden mod for høj gate-spænding?

Hold gate-drive-amplituden inden for 20 V gate-kilde maks. for at undgå gate-oxid-belastning og mulig enhedsfejl.

Hvordan påvirker driftstemperaturområdet valg af anvendelse?

Området fra -55 °C til 175 °C muliggør anvendelse i miljøer med ekstrem kulde eller høje omgivelsestemperaturer, hvor andre komponenter kan være uegnede.