Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, IMBF Nej IMBF170R450M1XTMA1
- RS-varenummer:
- 249-6950
- Producentens varenummer:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 40,37
(ekskl. moms)
Kr. 50,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 596 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 40,37 |
| 10 - 24 | Kr. 38,37 |
| 25 - 49 | Kr. 36,80 |
| 50 - 99 | Kr. 35,16 |
| 100 + | Kr. 32,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6950
- Producentens varenummer:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IMBF | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IMBF | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon siliciumcarbid MOSFET reducerer systemets kompleksitet. Den kører direkte fra flyback-controlleren. Effektivitetsforbedring og reduktion af køleindsatsen. Aktiverer højere frekvens.
Revolutionerende halvledermateriale - siliciumkarbid
Optimeret til flyback-topologier
12V/0V gate-source spænding kompatibel med de fleste fly-back kontrollere
Meget lave koblingstab
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V
Fuldt kontrollerbar DV/dt til EMI-optimering
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9 7 ben, TO-263-7 IMBF170R450M1XTMA1
- Infineon N-Kanal 7 7 ben IMBF1 IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon N-Kanal 5 7 ben IMBF1 IMBF170R1K0M1XTMA1
- Littelfuse N-Kanal 4 7 ben LSIC1MO170T0750 LSIC1MO170T0750-TU
- Wolfspeed N-Kanal 5 7 ben, D2PAK (TO-263) C2M1000170J
- Infineon N-Kanal 33 A 650 V TO-263-7 IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon N-Kanal 17 A 650 V TO-263-7 IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 650 V TO-263-7 IMBG65R022M1HXTMA1
