Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB64N25S3-20 AEC

RS-varenummer:: 170-2295
Producentens varenummer:: IPB64N25S320ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB64N25S3-20 AEC

Indhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*

Kr. 23.248,00

(ekskl. moms)

Kr. 29.060,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 01. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 23,248	Kr. 23.248,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2295
Producentens varenummer:: IPB64N25S320ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	64A
	Drain source spænding maks. Vds	250V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	IPB64N25S3-20
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	20mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	67nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	10.25mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	4.4mm
	Længde	10mm
	Bilindustristandarder	AEC

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A
	Drain source spænding maks. Vds 250V
	Emballagetype TO-263
	Serie IPB64N25S3-20
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 20mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 10.25mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 4.4mm
	Længde 10mm
	Bilindustristandarder AEC

Infineon IPB64N25S3-20 seriens MOSFET, 250 V maksimal drain source-spænding, 64 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB64N25S320ATMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et meget bredt temperaturområde og er bygget til overflademontering i et TO-263-hus, hvilket gør den velegnet til kompakte enheder, hvor robust strømhåndtering er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 250 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 20 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under drift
• 300 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 67 nC typisk gate-ladning sikrer forudsigelig skifteadfærd
• 20 V mærkespænding for gate opretholder sikre gate-drevmargener

Anvendelser

• Ideel til strømkonverteringsmoduler til biler
• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motordrev invertertrin
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industriel elektronik med høje temperaturer

Hvilket temperaturområde kan denne enhed tåle i barske miljøer?

Den fungerer på tværs af omgivende endepunkter fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i anvendelser med ekstreme temperaturer og reducerer behovet for omfattende termisk beskyttelse.

Hvordan påvirker pakken printkortmontering og køling?

Formfaktoren til overflademontering af TO-263 giver en lavprofilmonteringsmulighed og har en stor termisk pude til varmeoverførsel til køleelementer eller kobberhældninger på printkortet.

Hvilke hensyn til gate-driver kræves der for pålidelig omskiftning?

En gate-source-mærkespænding på 20 V sætter det maksimalt tilladte gate-drev

Designere bør vælge gate-spændinger inden for denne grænse og tage hensyn til 67 nC gate-ladning ved dimensionering af drivere.

Hvordan påvirker enhedstypen valg af kredsløbstopologi?

Som en N-kanal MOSFET med forbedringstilstand har den brug for et positivt gate-drev i forhold til kilden til ledning, hvilket gør den velegnet til lav-side-switching og synkrone ensretningsarrangementer.