Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB64N25S3-20 AEC
- RS-varenummer:
- 171-1959
- Producentens varenummer:
- IPB64N25S320ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 261,20
(ekskl. moms)
Kr. 326,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 52,24 | Kr. 261,20 |
| 10 - 20 | Kr. 44,402 | Kr. 222,01 |
| 25 - 45 | Kr. 41,798 | Kr. 208,99 |
| 50 - 120 | Kr. 38,672 | Kr. 193,36 |
| 125 + | Kr. 36,054 | Kr. 180,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1959
- Producentens varenummer:
- IPB64N25S320ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPB64N25S3-20 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPB64N25S3-20 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10mm | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
Infineon IPB64N25S3-20 seriens MOSFET, 250 V maksimal drain source-spænding, 64 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB64N25S320ATMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et meget bredt temperaturområde og er bygget til overflademontering i et TO-263-hus, hvilket gør den velegnet til kompakte enheder, hvor robust strømhåndtering er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 250 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 20 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under drift
• 300 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 67 nC typisk gate-ladning sikrer forudsigelig skifteadfærd
• 20 V mærkespænding for gate opretholder sikre gate-drevmargener
• 64 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 20 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under drift
• 300 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 67 nC typisk gate-ladning sikrer forudsigelig skifteadfærd
• 20 V mærkespænding for gate opretholder sikre gate-drevmargener
Anvendelser
• Ideel til strømkonverteringsmoduler til biler
• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motordrev invertertrin
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industriel elektronik med høje temperaturer
• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motordrev invertertrin
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyninger
• Velegnet til industriel elektronik med høje temperaturer
Hvilket temperaturområde kan denne enhed tåle i barske miljøer?
Den fungerer på tværs af omgivende endepunkter fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i anvendelser med ekstreme temperaturer og reducerer behovet for omfattende termisk beskyttelse.
Hvordan påvirker pakken printkortmontering og køling?
Formfaktoren til overflademontering af TO-263 giver en lavprofilmonteringsmulighed og har en stor termisk pude til varmeoverførsel til køleelementer eller kobberhældninger på printkortet.
Hvilke hensyn til gate-driver kræves der for pålidelig omskiftning?
En gate-source-mærkespænding på 20 V sætter det maksimalt tilladte gate-drev
Designere bør vælge gate-spændinger inden for denne grænse og tage hensyn til 67 nC gate-ladning ved dimensionering af drivere.
Hvordan påvirker enhedstypen valg af kredsløbstopologi?
Som en N-kanal MOSFET med forbedringstilstand har den brug for et positivt gate-drev i forhold til kilden til ledning, hvilket gør den velegnet til lav-side-switching og synkrone ensretningsarrangementer.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-263, IPB64N25S3-20 AEC
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 25 A 250 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V Forbedring TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 17 A 250 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 64 A 55 V HEXFET