Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 1.2 kV N, 7 Ben, TO-263, IMBG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 50,19

(ekskl. moms)

Kr. 62,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 946 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 50,19
5 - 9Kr. 47,65
10 - 24Kr. 45,63
25 - 49Kr. 43,68
50 +Kr. 40,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
249-6952
Producentens varenummer:
IMBG120R140M1HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

1.2kV

Serie

IMBG

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon siliciumcarbid MOSFET reducerer systemets kompleksitet. Den kører direkte fra flyback-controlleren. Effektivitetsforbedring og reduktion af køleindsatsen. Aktiverer højere frekvens.

Meget lave koblingstab

Kortslutning modstår tid 3 μs

Fuldt kontrollerbar DV/dt

Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V

Robust over for standby-tænd, 0V sluk for gate-spænding kan anvendes

Robust husdiode til hård kommutering

XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne

Krybe- og frigang i pakken > 6,1mm

Følerben for optimeret skifteevne

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.