Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 1200 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 15.888,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.860,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 15,888Kr. 15.888,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
249-6953
Producentens varenummer:
IMBG120R220M1HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

IMBG

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon siliciumcarbid MOSFET reducerer systemets kompleksitet. Den kører direkte fra flyback-controlleren. Effektivitetsforbedring og reduktion af køleindsatsen. Aktiverer højere frekvens.

Meget lave koblingstab

Kortslutning modstår tid 3 μs

Fuldt kontrollerbar DV/dt

Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V

Robust over for standby-tænd, 0V sluk for gate-spænding kan anvendes

Robust husdiode til hård kommutering

XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne

Krybe- og frigang i pakken > 6,1mm

Følerben for optimeret skifteevne

Relaterede links