Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.1 A 250 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101 BSS139H6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 250-0544
- Producentens varenummer:
- BSS139H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 26,35
(ekskl. moms)
Kr. 32,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.770 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,635 | Kr. 26,35 |
| 100 - 240 | Kr. 2,506 | Kr. 25,06 |
| 250 - 490 | Kr. 2,401 | Kr. 24,01 |
| 500 - 990 | Kr. 2,296 | Kr. 22,96 |
| 1000 + | Kr. 1,848 | Kr. 18,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0544
- Producentens varenummer:
- BSS139H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-40-498 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-40-498 | ||
Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor er en N-kanal nedbrydningstilstand lille signal MOSFET-transistor, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Det er dv/dt-klassificeret. Den fås med VGS-indikator (th) på vinden. Den er halogen og blyfri blyfri blyfri.
Blyfri forgyldning
Maks. effekttab er 360 mW
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 mA 250 V SOT-23 BSS139H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 100 mA 250 V Depletion SOT-23, BSS139I BSS139IXTSA1
- Infineon N-Kanal 540 mA 55 V SOT-23 BSS670S2LH6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 BSS159NH6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Depletion SOT-23, BSS169I BSS169IXTSA1
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V SOT-23, OptiMOS™ BSS123NH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V SOT-23, OptiMOS™ BSS123NH6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V SOT-23, OptiMOS™ BSS119NH6327XTSA1
