Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 0.41 A 50 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK88 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 251-7922
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-50SLHAX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 48.668,00
(ekskl. moms)
Kr. 60.836,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 24,334 | Kr. 48.668,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 251-7922
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-50SLHAX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.41A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | LFPAK88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 112nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.41A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype LFPAK88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 112nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nexperia 410 Amp kontinuerlig strøm, logikniveau gate drive N-kanal forbedrende tilstand MOSFET i 175 C LFPAK88 hus. En del af ASFET'er til batteriisolation og DC-motorstyring og ved brug af Nexperias unikke "SchottkyPlus" teknologi leverer SchottkyPlus høj effektivitet og lav spiking-ydelse, der normalt forbindes med MOSFET'er med en integreret Schottky eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm.
Kobberklemme og loddeflig til lav huselvinduktion og modstand og høj ID (maks.) mærkeværdi
Kvalificeret til 175 °C
Lavine-klassificeret, 100 % testet
Lav QG, QGD og QOSS for høj effektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse af lysdiode til lavt spike og ringning, anbefales til design med lav EMI
Smal VGS (TH)-klassificering for nem parallelkobling og forbedret strømdeling
Meget stærk lineær tilstand/sikre driftsområders egenskaber for sikker og pålidelig omskiftning ved høje strømforhold
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 0.41 A 50 V Forbedring LFPAK88 AEC-Q101 PSMNR90-50SLHAX
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88 Nej
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88 Nej BUK7S0R5-40HJ
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88 Nej BUK7S2R0-40HJ
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88 Nej PSMNR55-40SSHJ
- Nexperia Type N-Kanal 320 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM Nej PSMNR90-40YSNX
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM Nej PSMNR90-40YLHX
- Nexperia Type N-Kanal 4.1 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101