Nexperia N-Kanal, MOSFET, 410 mA 50 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK88 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 251-7922
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-50SLHAX
- Brand:
- Nexperia
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 251-7922
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-50SLHAX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 410mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | LFPAK88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 112nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 8.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 410mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype LFPAK88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 112nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 8.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nexperia 410 Amp kontinuerlig strøm, logikniveau gate drive N-kanal forbedrende tilstand MOSFET i 175 C LFPAK88 hus. En del af ASFET'er til batteriisolation og DC-motorstyring og ved brug af Nexperias unikke "SchottkyPlus" teknologi leverer SchottkyPlus høj effektivitet og lav spiking-ydelse, der normalt forbindes med MOSFET'er med en integreret Schottky eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm.
Kobberklemme og loddeflig til lav huselvinduktion og modstand og høj ID (maks.) mærkeværdi
Kvalificeret til 175 °C
Lavine-klassificeret, 100 % testet
Lav QG, QGD og QOSS for høj effektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse af lysdiode til lavt spike og ringning, anbefales til design med lav EMI
Smal VGS (TH)-klassificering for nem parallelkobling og forbedret strømdeling
Meget stærk lineær tilstand/sikre driftsområders egenskaber for sikker og pålidelig omskiftning ved høje strømforhold
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 0.41 A 50 V Forbedring LFPAK88 AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88
- Nexperia N-Kanal 300 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 320 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 410 A 50 V, SOT
- Nexperia N-Kanal 2.8 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 4.1 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 32 A 60 V Forbedring LFPAK AEC-Q101