Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 43.4 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIR4608LDP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 252-0280
- Producentens varenummer:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,04
(ekskl. moms)
Kr. 76,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.035 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,208 | Kr. 61,04 |
| 50 - 245 | Kr. 11,474 | Kr. 57,37 |
| 250 - 495 | Kr. 10,398 | Kr. 51,99 |
| 500 - 1245 | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
| 1250 + | Kr. 9,17 | Kr. 45,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0280
- Producentens varenummer:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 43.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 45.9 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4604LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 36.2 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4608LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4604DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 35.7 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8, SiS4608DN AEC-Q101 SIS4608DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8PT AEC-Q101 SISA18BDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 36.2 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101