Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 141 A -40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SQS180ELNW-T1_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 57,67

(ekskl. moms)

Kr. 72,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 2.960 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,767Kr. 57,67
100 - 240Kr. 5,423Kr. 54,23
250 - 490Kr. 4,907Kr. 49,07
500 - 990Kr. 4,615Kr. 46,15
1000 +Kr. 4,323Kr. 43,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0324
Producentens varenummer:
SQS180ELNW-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

141A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

192W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay MOSFET'er til brug i biler er fremstillet på en dedikeret processtrøm til stadig robusthed. Den vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerede SQ-serie, der er mærket til en maksimal samlingstemperatur på 175 °C, har lav modstand ved tændt n- og p-kanals skot-FET-teknologier i bly (Pb)- og halogenfri SO-huse.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET AEC-Q101-kvalificeret 100 % Rg og UIS-testet, vådbare flankterminaler med lav termisk modstand med 0,75 mm profil

Relaterede links