Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 256-7326
- Producentens varenummer:
- IRL640PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 362,65
(ekskl. moms)
Kr. 453,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,253 | Kr. 362,65 |
| 100 - 450 | Kr. 5,838 | Kr. 291,90 |
| 500 - 950 | Kr. 4,677 | Kr. 233,85 |
| 1000 + | Kr. 4,026 | Kr. 201,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7326
- Producentens varenummer:
- IRL640PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.028Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.028Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductors tredje generation af power mosfet giver designeren den bedste kombination af hurtig skifte, robust enhedsdesign, lav modstand ved tændt og omkostningseffektivitet. TO-220AB-huset foretrækkes universelt til alle kommercielle og industrielle anvendelser med effekttab på ca. 50 W. Den lave termiske modstand og de lave husomkostninger for TO-220AB bidrager til den brede accept i hele branchen.
Dynamisk dV/dt mærkeværdi
Gentagende lavineret
Gate-driver på logikniveau
Hurtig omskiftning
Let at parallelle
Enkle drevkrav
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 17 A 200 V TO-220
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V TO-220
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V TO-220
- Vishay Type N-Kanal 17 A 200 V Forbedring TO-263, IRL
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 9.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-220, IRL