Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF640
- RS-varenummer:
- 541-0452
- Producentens varenummer:
- IRF640PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 474,90
(ekskl. moms)
Kr. 593,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,498 | Kr. 474,90 |
| 100 - 200 | Kr. 8,168 | Kr. 408,40 |
| 250 + | Kr. 7,598 | Kr. 379,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-0452
- Producentens varenummer:
- IRF640PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF640 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF640 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET Nej STP20NF20
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRFB4020PBF
- onsemi Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, IRL Nej IRL640A
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF640NPBF
- onsemi N-Kanal 18 A 200 V TO-220 IRL640A
- IXYS Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-220 Nej