Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -1.4 A -150 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3437DV
- RS-varenummer:
- 256-7351
- Producentens varenummer:
- SI3437DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 44,28
(ekskl. moms)
Kr. 55,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,856 | Kr. 44,28 |
| 50 - 95 | Kr. 7,928 | Kr. 39,64 |
| 100 - 245 | Kr. 6,344 | Kr. 31,72 |
| 250 - 995 | Kr. 6,178 | Kr. 30,89 |
| 1000 + | Kr. 5,356 | Kr. 26,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7351
- Producentens varenummer:
- SI3437DV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -1.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -150V | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Serie | SI3437DV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.79Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -1.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds -150V | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Serie SI3437DV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.79Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SI3437DV seriens MOSFET, 3,2 W maksimal effekttab, 150 V maksimal drain source-spænding - SI3437DV-T1-GE3
Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret transistor, der er designet til højspændingsswitching og styring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt termisk område, hvilket gør den velegnet til miljøer med store temperatursvingninger, og den er beregnet til kredsløbsdesign, der kræver en kontrolleret gate-ladning og moderat kontinuerlig strømhåndtering i en lavprofilpakke.
Egenskaber og fordele:
• 150 V drain-kapacitet muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 0,79 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab under drift
• 1.4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter beskedne belastningsstrømme
• 8 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 3.2 W effekttab håndterer moderat termisk belastning
• RoHS-overholdelse opfylder miljømæssige materialebegrænsninger
• 0,79 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab under drift
• 1.4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter beskedne belastningsstrømme
• 8 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 3.2 W effekttab håndterer moderat termisk belastning
• RoHS-overholdelse opfylder miljømæssige materialebegrænsninger
Anvendelser
• Velegnet til skift af højspændingsbelastning i strømforsyninger
• Ideel til batteribeskyttelse og kredsløb med omvendt polaritet
• Anvendes sammen med kompakte konvertere, der kræver overflademonterede komponenter
• Kan bruges til omskiftning af signalniveau i industrielle styringer
• Velegnet til forbrugerelektronik med krav til termisk variation
• Ideel til batteribeskyttelse og kredsløb med omvendt polaritet
• Anvendes sammen med kompakte konvertere, der kræver overflademonterede komponenter
• Kan bruges til omskiftning af signalniveau i industrielle styringer
• Velegnet til forbrugerelektronik med krav til termisk variation
Hvilke monteringshensyn er der for kompakte kort?
Den leveres i en TSOP-6-pakke til overflademontering, så padlayoutet skal følge TSOP-6-footprint-anbefalinger og tillade tilstrækkeligt kobber til varmespredning.
Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?
Gate-drevets størrelse og slew-hastighed vil påvirke koblingstab, da enheden udviser en typisk 8 nC gate-ladning
valg af driver skal matche de ønskede stige-/faldtider.
Hvilket termisk område kan den tolerere under drift?
Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til +150 °C, hvilket passer til anvendelser med betydelige variationer i omgivelses- og forbindelsestemperatur.
Er der begrænsninger for bilintegrering?
Delen er ikke udpeget til bilstandarder, så den bør ikke vælges, hvor der kræves certificerede komponenter af bilkvalitet.