Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

RS-varenummer:: 256-7358
Producentens varenummer:: SI3483DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.590,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.730,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. november 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,53	Kr. 4.590,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7358
Producentens varenummer:: SI3483DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-6.4A
	Drain source spænding maks. Vds	-30V
	Emballagetype	TSOP-6
	Serie	SI3483DDV
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	0.0513Ω
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Portkildespænding maks.	16V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	3W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6.4A
	Drain source spænding maks. Vds -30V
	Emballagetype TSOP-6
	Serie SI3483DDV
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 0.0513Ω
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Portkildespænding maks. 16V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 3W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

Vishay SI3483DDV seriens MOSFET, 3 W maksimal effekttab, -30 V maksimal drain source-spænding - SI3483DDV-T1-GE3

Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret koblingstransistor, der er designet til elektronisk strømstyring i kompakte enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til lavspændingsanvendelser, der kræver moderat strømstyrke og effektiv ledning. Enheden leveres i et TSOP-6-hus og er specificeret til standard RoHS-fremstillingsmiljøer.

Egenskaber og fordele:

• Lav Rds(on) 0,0513 Ω muliggør reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm -6,4 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Drain-source mærkespænding -30 V muliggør lavspændingsswitching
• Gate-tærskel, der tillader Vgs op til 16 V, giver fleksibelt drevområde
• Typisk gate-opladning på 4,5 nC giver hurtigere omskiftning for effektivitet
• Effekttab på 3 W begrænser termisk belastning for kompakte design

Anvendelser

• Anvendes til beskyttelse mod omvendt batteri i bærbar elektronik
• Velegnet til belastningsswitching i strømfordelingsskinner
• Ideel til high-side-omskiftning i batteristyringssystemer
• Kan bruges til USB-strømvejsvalgkredsløb
• Anvendes sammen med motordriverporte i lavspændingssystemer

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug under barske omgivelsesforhold og kortet med forhøjet temperatur.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?

Pakken har seks ben og er beregnet til overflademontering på beboede kort.

Hvilken kanaltype og ledningspolaritet skal forventes?

Transistoren er en p-kanal-enhed, så kilde- og drain-rollerne er på linje med P-type skiftekonfigurationer.

Er dette velegnet til krav til bilstandarder?

Den er ikke udpeget som en komponent i bilstandarden og bør ikke antages at opfylde specifikke kvalifikationskriterier for biler.