Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

RS-varenummer:: 256-7359
Producentens varenummer:: SI3483DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -6.4 A -30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 107,20

(ekskl. moms)

Kr. 134,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 4,288	Kr. 107,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7359
Producentens varenummer:: SI3483DDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-6.4A
	Drain source spænding maks. Vds	-30V
	Serie	SI3483DDV
	Emballagetype	TSOP-6
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	0.0513Ω
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	3W
	Portkildespænding maks.	16V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.5nC
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6.4A
	Drain source spænding maks. Vds -30V
	Serie SI3483DDV
	Emballagetype TSOP-6
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 0.0513Ω
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 3W
	Portkildespænding maks. 16V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

Vishay SI3483DDV seriens MOSFET, 3 W maksimal effekttab, -30 V maksimal drain source-spænding - SI3483DDV-T1-GE3

Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret koblingstransistor, der er designet til elektronisk strømstyring i kompakte enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til lavspændingsanvendelser, der kræver moderat strømstyrke og effektiv ledning. Enheden leveres i et TSOP-6-hus og er specificeret til standard RoHS-fremstillingsmiljøer.

Egenskaber og fordele:

• Lav Rds(on) 0,0513 Ω muliggør reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm -6,4 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Drain-source mærkespænding -30 V muliggør lavspændingsswitching
• Gate-tærskel, der tillader Vgs op til 16 V, giver fleksibelt drevområde
• Typisk gate-opladning på 4,5 nC giver hurtigere omskiftning for effektivitet
• Effekttab på 3 W begrænser termisk belastning for kompakte design

Anvendelser

• Anvendes til beskyttelse mod omvendt batteri i bærbar elektronik
• Velegnet til belastningsswitching i strømfordelingsskinner
• Ideel til high-side-omskiftning i batteristyringssystemer
• Kan bruges til USB-strømvejsvalgkredsløb
• Anvendes sammen med motordriverporte i lavspændingssystemer

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug under barske omgivelsesforhold og kortet med forhøjet temperatur.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?

Pakken har seks ben og er beregnet til overflademontering på beboede kort.

Hvilken kanaltype og ledningspolaritet skal forventes?

Transistoren er en p-kanal-enhed, så kilde- og drain-rollerne er på linje med P-type skiftekonfigurationer.

Er dette velegnet til krav til bilstandarder?

Den er ikke udpeget som en komponent i bilstandarden og bør ikke antages at opfylde specifikke kvalifikationskriterier for biler.