Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.4 A 30 V, 6 Ben, TSOP-6, SI3483DDV

Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret halvlederenhed, der er designet til at styre high-side koblings- og analoge strømfunktioner i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer med en mærkeværdi på 30 V drain-to-source og er beregnet til brug over et bredt omgivende temperaturområde, hvilket gør den velegnet til krævende industrielle og automatiseringsmiljøer, hvor kompakt strømkobling er påkrævet.

• Lav Rds(on) 0,0513 Ω, der giver reducerede ledningstab • Kontinuerlig afløbsstrøm 6,4 A, der understøtter moderate effektbelastninger • Typisk portladning 4,5 nC, der muliggør hurtigere portskift • Maks. effekttab 3 W, der giver mulighed for vedvarende termisk belastning • Gate-source modstandsdygtig over for 16 V for tolerante gate-drive-marginer • Kan bruges mellem -55 °C og +150 °C til brug ved høje temperaturer

• Velegnet til omskiftning af høj sidebelastning i automatiseringsudstyr • Ideel til batteristyringskredsløb i bærbare systemer • Anvendes til analog strømstyring i industriel elektronik • Kan bruges til termisk følsom der kræves kompakte SMD-dele • Anvendes sammen med motorkontrolledrivere, der kræver P-kanals topologi

Den leveres i en TSOP-6-pakke til overflademontering med seks ben til tæt kortbygning.

Den er klassificeret til drift op til +150 °C, hvilket giver mulighed for kontinuerlig ledning og omskiftning ved høje temperaturer inden for specificerede grænser.

Typisk gate-ladning er 4,5 nC, hvilket informerer gate-drevenergi og beregninger af koblingstab.

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-materialebegrænsninger for overholdelse af begrænsede stoffer.