Vishay N-Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- RS-varenummer:
- 256-7385
- Producentens varenummer:
- SI7232DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 53,86
(ekskl. moms)
Kr. 67,33
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,772 | Kr. 53,86 |
| 50 - 95 | Kr. 9,71 | Kr. 48,55 |
| 100 - 245 | Kr. 9,50 | Kr. 47,50 |
| 250 - 995 | Kr. 9,32 | Kr. 46,60 |
| 1000 + | Kr. 6,718 | Kr. 33,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7385
- Producentens varenummer:
- SI7232DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.024Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.024Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-Ch powerPAK mosfet er blyfri (Pb) og halogenfri, og dens anvendelser er DC, DC, notebook systemstrøm, POL.
TrenchFET Power Mosfet
Drain-source spænding VDS 20
Gate-kilde spænding VGS ± 8
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 25 A 20 V PowerPAK 1212-8
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V PowerPAK 1212-8
- Vishay N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET