Vishay N-Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, Microfoot, SI8824EDB

RS-varenummer:: 256-7398
Producentens varenummer:: SI8824EDB-T2-E1
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, Microfoot, SI8824EDB

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.907,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.633,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,969	Kr. 2.907,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7398
Producentens varenummer:: SI8824EDB-T2-E1
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.1A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	Microfoot
	Serie	SI8824EDB
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.175Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.7nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	5V
	Effektafsættelse maks. Pd	0.9W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	402μm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.1A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype Microfoot
	Serie SI8824EDB
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.175Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.7nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 5V
	Effektafsættelse maks. Pd 0.9W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 402μm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SI8824EDB-T2-E1

Vishay SI8824EDB seriens MOSFET, 20 V maksimal drain-kildespænding, 2,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI8824EDB-T2-E1

Denne n-kanals MOSFET er en kompakt overflademonteret koblingstransistor, der er designet til lavspændingsstrømstyring og hurtige koblingsopgaver. Den fungerer inden for ekstreme omgivelsesområder og er beregnet til brug, hvor der kræves et lille fodaftryk og gate-driver på logisk niveau. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og leveres i en MICRO FOOT-pakke, der er velegnet til enheder med høj tæthed.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 0,175 Ω muliggør reducerede ledningstab
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 2.1 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Gate-tærskel justeret til kompatibilitet med Vgs 5 V logisk niveau
• Typisk gate-opladning 2,7 nC for hurtig omskiftning
• Maks. effekttab på 0,9 W styrer termisk belastning i kompakte layouter
• Forward-spænding 1,2 V hjælper med at forudsige ledningsfald

Anvendelser

• Velegnet til batteridrevne DC-DC-omformere i kompakte design
• Ideel til strømfordeling med høj tæthed på SMD-enheder
• Anvendes sammen med mikrocontrollere, der kræver Vgs 5 V-switching
• Kan bruges til lavspændingsmotordrivere og belastningskontakter
• Velegnet til styring af signalniveauet i forbrugerelektronik

Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med krævende temperaturer.

Hvordan påvirker pakken hensynene til kortlayout?

Formatet til overflademontering af MICRO FOOT minimerer den lodrette og laterale plads, hvilket letter tæt placering af komponenter og lavprofilsenheder.

Hvilken elektrisk grænse skal designere overholde for drain-source-spænding?

Den maksimale drain-kilde-spænding er 20 V, så konstruktioner skal holde systemspændinger under denne tærskel.

Hvordan påvirker skifteadfærden valg af portdrev?

Med en typisk gate-ladning på 2,7 nC skal gate-drivere forsyne tilstrækkelig strøm til de ønskede kanthastigheder uden overdrevne tab.