Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 375 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5564
- Producentens varenummer:
- IRL7472L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 56.012,00
(ekskl. moms)
Kr. 70.016,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 14,003 | Kr. 56.012,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5564
- Producentens varenummer:
- IRL7472L1TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 375A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 375A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølekapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1-2 nH) induktion
100 % blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 112 A 40 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET
