Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4800 enheder)*

Kr. 29.472,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.864,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4800 +Kr. 6,14Kr. 29.472,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
257-9313
Producentens varenummer:
IRF7480MTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

217A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

DirectFET

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

123nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRF-serien er 40 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et direkte FET ME-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere. Slutanvendelser omfatter trådløst strøm- og haveværktøj, lette elektriske køretøjer og el-cykler, der kræver en høj grad af robusthed og energieffektivitet.

Dobbeltsidet kølingskapacitet

Lav hushøjde på 0,7 mm

Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion

100 procent blyfri (ingen ROHS-fritagelse)

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Relaterede links