Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9314
- Producentens varenummer:
- IRF7480MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 26,93
(ekskl. moms)
Kr. 33,662
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.764 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,465 | Kr. 26,93 |
| 20 - 48 | Kr. 12,12 | Kr. 24,24 |
| 50 - 98 | Kr. 11,295 | Kr. 22,59 |
| 100 - 198 | Kr. 10,51 | Kr. 21,02 |
| 200 + | Kr. 9,835 | Kr. 19,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9314
- Producentens varenummer:
- IRF7480MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 217A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 123nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 217A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 123nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 40 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et direkte FET ME-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere. Slutanvendelser omfatter trådløst strøm- og haveværktøj, lette elektriske køretøjer og el-cykler, der kræver en høj grad af robusthed og energieffektivitet.
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen ROHS-fritagelse)
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 40 V DirectFET
- Infineon Type N-Kanal 112 A 40 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET