Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 27 A 150 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET Nej IRFH5215TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-5871
- Producentens varenummer:
- IRFH5215TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,80
(ekskl. moms)
Kr. 86,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 4.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,76 | Kr. 68,80 |
| 50 - 120 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 125 - 245 | Kr. 11,16 | Kr. 55,80 |
| 250 - 495 | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
| 500 + | Kr. 9,634 | Kr. 48,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5871
- Producentens varenummer:
- IRFH5215TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5 mm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5 mm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav RDSon (< 58 m)
Lav termisk modstand til printkort (<12 °C/W)
100 % Rg-testet
Lavprofil (<09 mm)
Benforbindelse iht. industristandard
Kompatibel med eksisterende overflademonteringsteknikker
I overensstemmelse med RoHS indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogener på miljøet
MSL1, industriel kvalifikation
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 27 A 150 V PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET Nej IRFH5015TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 40 A 20 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 88 A 100 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 117 A 40 V HEXFET Nej
