Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 60 V, Micro8, HEXFET Nej IRF6674TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9298
- Producentens varenummer:
- IRF6674TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 25,02
(ekskl. moms)
Kr. 31,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.626 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 12,51 | Kr. 25,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9298
- Producentens varenummer:
- IRF6674TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | Micro8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype Micro8 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 60 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et direkte FET mx-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 67 A 60 V HEXFET IRF6674TRPBF
- Infineon N-Kanal 60 A 60 V HEXFET IRF60B217
- Infineon N-Kanal 67 A 150 V DirectFET2 stor dåse, HEXFET IRF7779L2TRPBF
- Infineon N-Kanal 85 A 60 V HEXFET IRFH7545TRPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V HEXFET IRFS4321TRLPBF
- Infineon N-Kanal 18 DFN2020, HEXFET IRL60HS118
- Infineon N-Kanal 195 A 60 V HEXFET IRFS7530TRLPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V HEXFET IRFS3306TRLPBF
