Infineon N-Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9333
- Producentens varenummer:
- IRF9383MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,38
(ekskl. moms)
Kr. 34,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 4.774 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 13,69 | Kr. 27,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9333
- Producentens varenummer:
- IRF9383MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 113W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -160A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 113W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er -30 V enkelt p-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et direkte FET mx-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal -160 A -30 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 75 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon N-Kanal 375 A 40 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 124 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 217 A 40 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V DirectFET, HEXFET