Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET Nej IRF9383MTRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9333
- Producentens varenummer:
- IRF9383MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,89
(ekskl. moms)
Kr. 34,862
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.774 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 13,945 | Kr. 27,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9333
- Producentens varenummer:
- IRF9383MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 113W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -160A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 113W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er -30 V enkelt p-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et direkte FET mx-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Dobbeltsidet kølingskapacitet
Lav hushøjde på 0,7 mm
Hus med lav parasitisk (1 til 2 nH) induktion
100 procent blyfri (ingen RoHS-fritagelse)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 160 A 30 V HEXFET IRF9383MTRPBF
- Infineon N-Kanal 124 A 100 V HEXFET IRF7769L1TRPBF
- Infineon N-Kanal 148 A 60 V, Direkte FET stor dåse IRF7748L1TRPBF
- Infineon N-Kanal 217 A 40 V HEXFET IRF7480MTRPBF
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V DirectFET mellemstore dåse, HEXFET IRF6643TRPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 75 V HEXFET AUIRF7759L2TR
- Infineon N-Kanal 67 A 150 V DirectFET2 stor dåse, HEXFET IRF7779L2TRPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V HEXFET IRFS3306TRLPBF
