Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -9.2 A -30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET Nej IRF9393TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9338
- Producentens varenummer:
- IRF9393TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 33,59
(ekskl. moms)
Kr. 41,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 7.980 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,359 | Kr. 33,59 |
| 100 - 240 | Kr. 3,186 | Kr. 31,86 |
| 250 - 490 | Kr. 3,067 | Kr. 30,67 |
| 500 - 990 | Kr. 2,02 | Kr. 20,20 |
| 1000 + | Kr. 1,511 | Kr. 15,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9338
- Producentens varenummer:
- IRF9393TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -9.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32.5mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -9.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32.5mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er en -30 V p-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et SO 8-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Hus til overflademontering i industristandard
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon P-Kanal 9 8 ben HEXFET IRF9393TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF9358TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 SO-8, HEXFET IRF7329TRPBF
- Infineon N-Kanal 12 A 30 V HEXFET IRF9388TRPBF
- Infineon N-Kanal 14 A 30 V HEXFET IRF8714TRPBF
- Infineon N-Kanal 8 A 30 V HEXFET IRF7328TRPBF
- Infineon N-Kanal 21 A 30 V HEXFET IRF7862TRPBF
