Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 200 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9353
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-526
- Producentens varenummer:
- IRFB4620PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,30
(ekskl. moms)
Kr. 35,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 936 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 14,15 | Kr. 28,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9353
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-526
- Producentens varenummer:
- IRFB4620PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFB-serien er 60 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et TO 220-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed.
Industristandard strømforsyningshus med hulmontering
Høj mærkestrøm
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 12 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 185 A HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET