Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9375
- Producentens varenummer:
- IRFH5406TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 54,83
(ekskl. moms)
Kr. 68,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,966 | Kr. 54,83 |
| 50 - 120 | Kr. 10,516 | Kr. 52,58 |
| 125 - 245 | Kr. 10,218 | Kr. 51,09 |
| 250 - 495 | Kr. 9,964 | Kr. 49,82 |
| 500 + | Kr. 9,724 | Kr. 48,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9375
- Producentens varenummer:
- IRFH5406TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.4mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 900μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.4mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 900μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFH-serien er 60 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 5x6-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres