Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 56,85

(ekskl. moms)

Kr. 71,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.035 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,37Kr. 56,85
50 - 120Kr. 10,89Kr. 54,45
125 - 245Kr. 10,592Kr. 52,96
250 - 495Kr. 10,322Kr. 51,61
500 +Kr. 10,068Kr. 50,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-9375
Producentens varenummer:
IRFH5406TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

14.4mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

46W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFH-serien er 60 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 5x6-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links