Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET Nej IRFH5406TRPBF
- RS-varenummer:
- 257-9375
- Producentens varenummer:
- IRFH5406TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,33
(ekskl. moms)
Kr. 80,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.035 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,866 | Kr. 64,33 |
| 50 - 120 | Kr. 12,328 | Kr. 61,64 |
| 125 - 245 | Kr. 11,998 | Kr. 59,99 |
| 250 - 495 | Kr. 11,684 | Kr. 58,42 |
| 500 + | Kr. 11,40 | Kr. 57,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9375
- Producentens varenummer:
- IRFH5406TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.4mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.4mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFH-serien er 60 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 5x6-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 20 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 117 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 259 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 159 A 40 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET Nej
