Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9376
- Producentens varenummer:
- IRFH6200TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 21.152,00
(ekskl. moms)
Kr. 26.440,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 5,288 | Kr. 21.152,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9376
- Producentens varenummer:
- IRFH6200TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 155nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 155nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFH-serien er 20 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et PQFN 5x6-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 49 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.2 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 265 A 40 V HEXFET
