Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V P, 3 Ben, TO-263, IPA Nej IPA60R380P6XKSA1
- RS-varenummer:
- 258-3774
- Producentens varenummer:
- IPA60R380P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,65
(ekskl. moms)
Kr. 30,812
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 484 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,325 | Kr. 24,65 |
| 20 - 48 | Kr. 10,96 | Kr. 21,92 |
| 50 - 98 | Kr. 10,25 | Kr. 20,50 |
| 100 - 198 | Kr. 9,46 | Kr. 18,92 |
| 200 + | Kr. 8,865 | Kr. 17,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3774
- Producentens varenummer:
- IPA60R380P6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPA | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform P | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. CoolMOS P6 serien kombinerer erfaringerne fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. De tilbudte enheder giver alle fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenlighed. Ekstremt lave skifte- og ledningstab gør skifteanvendelser mere effektive, mere kompakte, lettere og køligere.
Højere V th
God diodestyrke i huset
Optimeret integreret R g
Forbedret dv/dt fra 50 V/ns
CoolMOS-kvalitet med over 12 års produktionserfaring inden for super junction-teknologi
Høj robusthed og bedre effektivitet
Fremragende kvalitet og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 600 V P TO-263, IPA Nej
- Infineon Type P-Kanal 24.8 A P IPA Nej
- Infineon Type P-Kanal 24.8 A P IPA Nej IPA50R190CEXKSA2
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101 IRL40SC209
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101 IRF100S201
- Infineon Type N-Kanal 13.8 A 600 V N IPA Nej