Infineon, MOSFET, 9.1 A 200 V, 5 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFI4020H-117PXKMA1
- RS-varenummer:
- 258-3976
- Producentens varenummer:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 52,70
(ekskl. moms)
Kr. 65,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 26,35 | Kr. 52,70 |
| 20 - 48 | Kr. 21,88 | Kr. 43,76 |
| 50 - 98 | Kr. 20,57 | Kr. 41,14 |
| 100 - 198 | Kr. 19,225 | Kr. 38,45 |
| 200 + | Kr. 17,655 | Kr. 35,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3976
- Producentens varenummer:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Dobbelt N-kanal MOSFET
Høj effekttæthed
Integreret design
Besparelser på kort
Relaterede links
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4020H-117PXKMA1
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4212H-117PXKMA1
- Infineon 8 TO-220, HEXFET IRFI4019H-117PXKMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 200 V HEXFET IRF200B211
- Infineon N-Kanal 200 A 40 V TO-220, HEXFET IRL1404ZPBF
- Infineon N-Kanal 26 A 200 V TO-220 fuldpakket, HEXFET IRFI4227PBF
- Infineon 182 A 200 V HEXFET IRF200P222
- Infineon N-Kanal 202 A HEXFET AUIRF1404
