Infineon, MOSFET, 6.6 A 100 V, 5 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 258-3977
- Producentens varenummer:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 451,30
(ekskl. moms)
Kr. 564,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,026 | Kr. 451,30 |
| 100 - 200 | Kr. 7,311 | Kr. 365,55 |
| 250 - 450 | Kr. 6,86 | Kr. 343,00 |
| 500 - 950 | Kr. 6,499 | Kr. 324,95 |
| 1000 + | Kr. 6,228 | Kr. 311,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3977
- Producentens varenummer:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Integreret halvbropakke
Høj effektivitet og THD
Lav EMI
Miljøvenligt
Relaterede links
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4212H-117PXKMA1
- Infineon TO-220, HEXFET IRFI4020H-117PXKMA1
- Infineon 8 TO-220, HEXFET IRFI4019H-117PXKMA1
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS4310TRLPBF
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS7440TRLPBF
- Infineon N-Kanal 192 A 100 V HEXFET IRF100B201
- Infineon N-Kanal 97 A 100 V TO-220, HEXFET IRF100B202
- Infineon N-Kanal 20 A 100 V TO-220, HEXFET IRFI540NPBF
