Infineon, MOSFET, 6.6 A 100 V, 5 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3978
- Producentens varenummer:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 19,22
(ekskl. moms)
Kr. 24,02
(inkl. moms)
Tilføj 66 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 826 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,61 | Kr. 19,22 |
| 20 - 48 | Kr. 8,08 | Kr. 16,16 |
| 50 - 98 | Kr. 7,59 | Kr. 15,18 |
| 100 - 198 | Kr. 6,995 | Kr. 13,99 |
| 200 + | Kr. 6,51 | Kr. 13,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3978
- Producentens varenummer:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Integreret halvbropakke
Høj effektivitet og THD
Lav EMI
Miljøvenligt
Relaterede links
- Infineon 6.6 A 100 V TO-220, HEXFET
- Infineon 9.1 A 200 V TO-220, HEXFET
- Infineon 8.7 A 150 V TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 6.6 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 127 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 192 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 130 A 100 V HEXFET
