Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 15 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SPD15P10P
- RS-varenummer:
- 258-7790
- Producentens varenummer:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,51
(ekskl. moms)
Kr. 65,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.375 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 10,502 | Kr. 52,51 |
| 25 - 45 | Kr. 9,05 | Kr. 45,25 |
| 50 - 120 | Kr. 8,512 | Kr. 42,56 |
| 125 - 245 | Kr. 7,884 | Kr. 39,42 |
| 250 + | Kr. 5,774 | Kr. 28,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-7790
- Producentens varenummer:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.20Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.96V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SPD15P10P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.20Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.96V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons SIPMOS-effekttransistor tilhører den meget innovative OptiMOS-serie af P-kanal-effekt-MOSFET'er. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i vigtige specifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber.
Forbedringstilstand
Avalanche-godkendt
Blyfri blybelægning
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 15 A 100 V Forbedring TO-252, SPD15P10P
- Infineon Type P-Kanal 4 A 100 V Forbedring TO-252, SPD15P10P
- Infineon Type P-Kanal 15 A 100 V Forbedring TSDSON, SPD15P10P
- Infineon Type P-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, IRFR5305PBF
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET