Infineon N-Kanal, MOSFET, 375 A 600 V N, HDSOP, IPD

Se alle MOSFET

Indhold (750 enheder, på en rulle med 750)*

Kr. 35.969,25

(ekskl. moms)

Kr. 44.961,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
750 +Kr. 47,959Kr. 35.969,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
260-1199
Producentens varenummer:
IPDQ60R022S7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

375A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

HDSOP

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Effektafsættelse maks. Pd

416W

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

820mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET giver den bedste pris til anvendelser med lavfrekvent switching. CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en tydelig forøgelse af energieffektiviteten. CoolMOS S7 er optimeret til "statisk omskiftning" og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til konstruktioner af halvlederrelæer og automatsikringer samt til linjens ensretning i SMPS- og invertertopologier.

Høj impulsstrømkapacitet

Øget systemydeevne

Mere kompakt og lettere design

Lavere BOM og/eller TCO over længere levetid

Modstandsdygtighed over for stød og vibrationer

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.