Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V N, 10 Ben, HDSOP, IPD
- RS-varenummer:
- 258-3875
- Producentens varenummer:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 34,71
(ekskl. moms)
Kr. 43,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 912 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 34,71 |
| 10 - 24 | Kr. 33,14 |
| 25 - 49 | Kr. 31,57 |
| 50 - 99 | Kr. 30,14 |
| 100 + | Kr. 28,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3875
- Producentens varenummer:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 120W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 120W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Double DPAK, det første top-side-kølede hus til overflademontering, der adresserer højeffekts SMPS-anvendelser som f.eks. PC-strøm, solenergi, server og telekommunikation. Fordelene ved den allerede eksisterende højspændingsteknologi 600 V CoolMOS G7 super junction MOSFET er kombineret med det innovative koncept med top-side-køling, hvilket giver en systemløsning til højstrøms hard switching topologier som f.eks. PFC og en højtydende effektivitetsløsning til LLC topologier.
Innovativt top-side kølekoncept
Indbygget 4. ben Kelvin-kildekonfiguration og lav parasitisk kildeinduktion
Muliggør løsninger med højere effekttæthed
Overstiger de højeste kvalitetsstandarder
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 20 A 600 V N HDSOP, IPD
- Infineon N-Kanal 126 A 600 V N IPD
- Infineon N-Kanal 375 A 600 V N IPD
- Infineon N-Kanal 207 A 600 V N IPD
- Infineon N-Kanal 288 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon N-Kanal 90 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon N-Kanal 113.3 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type P-Kanal 61 A N IPD