Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V N, 10 Ben, HDSOP, IPD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 13,76

(ekskl. moms)

Kr. 17,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 913 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 13,76
10 - 24Kr. 13,09
25 - 49Kr. 12,49
50 - 99Kr. 11,97
100 +Kr. 11,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3875
Producentens varenummer:
IPDD60R125G7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

HDSOP

Monteringstype

Overflade

Benantal

10

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Double DPAK, det første top-side-kølede hus til overflademontering, der adresserer højeffekts SMPS-anvendelser som f.eks. PC-strøm, solenergi, server og telekommunikation. Fordelene ved den allerede eksisterende højspændingsteknologi 600 V CoolMOS G7 super junction MOSFET er kombineret med det innovative koncept med top-side-køling, hvilket giver en systemløsning til højstrøms hard switching topologier som f.eks. PFC og en højtydende effektivitetsløsning til LLC topologier.

Innovativt top-side kølekoncept

Indbygget 4. ben Kelvin-kildekonfiguration og lav parasitisk kildeinduktion

Muliggør løsninger med højere effekttæthed

Overstiger de højeste kvalitetsstandarder

Relaterede links