Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 260-5872
- Producentens varenummer:
- IRLB8748PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 100 enheder)*
Kr. 394,10
(ekskl. moms)
Kr. 492,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 400 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 3,941 | Kr. 394,10 |
| 200 - 400 | Kr. 3,744 | Kr. 374,40 |
| 500 - 900 | Kr. 3,586 | Kr. 358,60 |
| 1000 - 2400 | Kr. 3,428 | Kr. 342,80 |
| 2500 + | Kr. 3,271 | Kr. 327,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5872
- Producentens varenummer:
- IRLB8748PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 92A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 92A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons enkelt N-kanal StrongIRFET-effekt-MOSFET. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Bredt udvalg af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere med høj mærkestrøm.
Hus med høj bæreevne
Høj ydeevne i anvendelser med lav frekvens
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET