STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Forbedring, 7 Ben, Tape og rulle Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 600 enheder)*

Kr. 48.713,40

(ekskl. moms)

Kr. 60.891,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
600 +Kr. 81,189Kr. 48.713,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
261-5039
Producentens varenummer:
SCT040HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

18.58mm

Bredde

14 mm

Højde

3.5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje skiftefunktioner, som forbedrer anvendelsesydeevnen i frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101-kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Højhastigheds-switching-ydeevne

Meget hurtig og robust diode med eget hus

Kilde-registreringsben for øget effektivitet

Relaterede links