STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Tape og rulle Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 61.504,00

(ekskl. moms)

Kr. 76.880,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 - 1000Kr. 61,504Kr. 61.504,00
2000 - 2000Kr. 59,927Kr. 59.927,00
3000 +Kr. 58,429Kr. 58.429,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
261-5046
Producentens varenummer:
STH12N120K5-2AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.9Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10.4 mm

Længde

15.8mm

Højde

4.7mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics højspændings N-kanals effekt MOSFET er konstrueret med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ egenudviklet vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af modstand ved tænding og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.

AEC-Q101-kvalificeret

Industriens laveste RDS(on) x område

Branchens bedste FoM (fortjeneste)

Meget lav gate-opladning

100 % lavine-testet

Relaterede links