Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6751
- Producentens varenummer:
- IRFI1310NPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 262-6751
- Producentens varenummer:
- IRFI1310NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.036Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.036Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den har 4,8 mm vask til at lede krybende alder afstand. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Fuldt lavineret
Højspændingsisolation 2,5 KVRMS
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 24 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 190 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET