Vishay N-Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIHA

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 64,93

(ekskl. moms)

Kr. 81,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 998 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 32,465Kr. 64,93
10 - 18Kr. 29,32Kr. 58,64
20 - 98Kr. 28,725Kr. 57,45
100 - 498Kr. 24,01Kr. 48,02
500 +Kr. 20,385Kr. 40,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8288
Producentens varenummer:
SIHA150N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHA

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.158Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHA seriens MOSFET, 650 V drain source-spænding, 9 A kontinuerlig drain-strøm - SIHA150N60E-GE3


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til effektkobling i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til kredsløb, der kræver betydelig spænding og moderat kontinuerlig strøm. Enheden leveres i en PowerPAK SO-8DC-pakke, der er velegnet til kompakte kortlayouts.

Egenskaber og fordele:


• 650 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat strømforsyning
• 0,158 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 179 W effekttab muliggør forøget belastningshåndtering
• 36 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig omskiftningskontrol
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for robuste gate-drevmargener

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes til server- og telekommunikationsstrømstyringsmoduler
• Kan bruges til LED-drivere, der kræver højspændingskontakter
• Velegnet til inverter- og UPS-strømtrin

Hvilken monteringstype kræver den til printmontering?


Det er en overflademonteret enhed, der leveres i en PowerPAK SO-8DC-pakke, der er designet til reflow-lodning på printkortmønstre, der er kompatible med SO-8DC-fodaftryk.

Hvordan opfører den sig i miljøer med udvidede temperaturer?


Transistoren er mærket til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i systemer, der er udsat for lave omgivelsesforhold og forhøjet intern opvarmning.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?


Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige ±30 V, så gate-drivere bør begrænses inden for disse grænser for at forhindre gate-oxid-belastning.

Hvilken standard begrænser farlige stoffer i denne komponent?


Enheden er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver begrænsninger på visse farlige materialer under fremstillingen.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.