Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 421 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 28.437,00

(ekskl. moms)

Kr. 35.547,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 9,479Kr. 28.437,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
252-0248
Producentens varenummer:
SIDR500EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

421A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00068mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V Power MOSFET Meget lav RDS x Qg merit-rate (FOM) Højere effekttæthed med meget lav RDS(on) Termisk forbedret kompakt hus

Relaterede links