Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 421 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR500EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,60

(ekskl. moms)

Kr. 82,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.984 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,80Kr. 65,60
20 - 98Kr. 30,93Kr. 61,86
100 - 198Kr. 27,865Kr. 55,73
200 - 498Kr. 26,255Kr. 52,51
500 +Kr. 24,645Kr. 49,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0249
Producentens varenummer:
SIDR500EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

421A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00068mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V Power MOSFET Meget lav RDS x Qg merit-rate (FOM) Højere effekttæthed med meget lav RDS(on) Termisk forbedret kompakt hus

Relaterede links