Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 421 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR500EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,60

(ekskl. moms)

Kr. 82,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.984 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,80Kr. 65,60
20 - 98Kr. 30,93Kr. 61,86
100 - 198Kr. 27,865Kr. 55,73
200 - 498Kr. 26,255Kr. 52,51
500 +Kr. 24,645Kr. 49,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0249
Producentens varenummer:
SIDR500EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

421A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00068mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V Power MOSFET Meget lav RDS x Qg merit-rate (FOM) Højere effekttæthed med meget lav RDS(on) Termisk forbedret kompakt hus

Relaterede links