Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 204 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR626LDP
- RS-varenummer:
- 210-4957
- Producentens varenummer:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 166,06
(ekskl. moms)
Kr. 207,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.680 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 33,212 | Kr. 166,06 |
| 50 - 120 | Kr. 29,89 | Kr. 149,45 |
| 125 - 245 | Kr. 24,236 | Kr. 121,18 |
| 250 - 495 | Kr. 20,90 | Kr. 104,50 |
| 500 + | Kr. 17,938 | Kr. 89,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4957
- Producentens varenummer:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 204A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiDR626LDP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.9mm | |
| Højde | 0.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 204A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiDR626LDP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.9mm | ||
Højde 0.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8DC hustype.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 204 A 60 V Forbedring SO-8, SiDR626LDP
- Vishay Type N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Type N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 80.3 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET