Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 204 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR626LDP Nej SiDR626LDP-T1-RE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 111,30

(ekskl. moms)

Kr. 139,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.680 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 22,26Kr. 111,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4957
Producentens varenummer:
SiDR626LDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

204A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SiDR626LDP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.9mm

Højde

0.51mm

Bredde

4.9 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8DC hustype.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Relaterede links