Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 204 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR626LDP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 33.282,00

(ekskl. moms)

Kr. 41.604,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 11,094Kr. 33.282,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-4956
Producentens varenummer:
SiDR626LDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

204A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR626LDP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.9mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.51mm

Bredde

4.9 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8DC hustype.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Relaterede links