Vishay N-Kanal, MOSFET, 204 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR626LDP
- RS-varenummer:
- 210-4956
- Producentens varenummer:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 48.705,00
(ekskl. moms)
Kr. 60.882,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 16,235 | Kr. 48.705,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4956
- Producentens varenummer:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 204A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiDR626LDP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 510μm | |
| Længde | 5.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 204A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiDR626LDP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 510μm | ||
Længde 5.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8DC hustype.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 204 A 60 V Forbedring SO-8, SiDR626LDP
- Vishay N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP
- Vishay N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay N-Kanal 80.3 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR