Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR180ADP
- RS-varenummer:
- 210-5001
- Producentens varenummer:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 92,90
(ekskl. moms)
Kr. 116,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.125 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,58 | Kr. 92,90 |
| 50 - 120 | Kr. 16,726 | Kr. 83,63 |
| 125 - 245 | Kr. 13,374 | Kr. 66,87 |
| 250 - 495 | Kr. 11,34 | Kr. 56,70 |
| 500 + | Kr. 10,742 | Kr. 53,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5001
- Producentens varenummer:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 137A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiR180ADP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 137A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiR180ADP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP
- Vishay Type N-Kanal 137 A 80 V Forbedring SO-8, SiDR680ADP
- Vishay Type N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Type N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 204 A 60 V Forbedring SO-8, SiDR626LDP
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR