Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR680ADP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 28.845,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.057,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 9,615Kr. 28.845,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7257
Producentens varenummer:
SIDR680ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR680ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.88mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.9 mm

Højde

0.51mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS-QG figure-of-Merit (FOM) og er indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links