Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR680ADP Nej SIDR680ADP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 159,02

(ekskl. moms)

Kr. 198,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 15,902Kr. 159,02
50 - 90Kr. 12,709Kr. 127,09
100 - 240Kr. 11,34Kr. 113,40
250 - 490Kr. 11,048Kr. 110,48
500 +Kr. 10,764Kr. 107,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7258
Producentens varenummer:
SIDR680ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiDR680ADP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.88mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.9mm

Højde

0.51mm

Bredde

4.9 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS-QG figure-of-Merit (FOM) og er indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links