Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR680ADP
- RS-varenummer:
- 204-7258
- Producentens varenummer:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 192,24
(ekskl. moms)
Kr. 240,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 19,224 | Kr. 192,24 |
| 50 - 90 | Kr. 15,356 | Kr. 153,56 |
| 100 - 240 | Kr. 13,703 | Kr. 137,03 |
| 250 - 490 | Kr. 13,359 | Kr. 133,59 |
| 500 + | Kr. 13,015 | Kr. 130,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7258
- Producentens varenummer:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 137A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiDR680ADP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.88mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.51mm | |
| Længde | 5.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 137A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiDR680ADP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.88mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.51mm | ||
Længde 5.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS-QG figure-of-Merit (FOM) og er indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM.
100 % Rg og UIS-testet
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 137 A 80 V Forbedring SO-8, SiDR680ADP
- Vishay Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP
- Vishay Type N-Kanal 66.8 A 80 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 86 A 80 V Forbedring SO-8, SiR826LDP
- Vishay Type N-Kanal 130 A 80 V Forbedring SO-8, SiR680LDP
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET