Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR626ADP Nej SiR626ADP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 127,61

(ekskl. moms)

Kr. 159,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 12,761Kr. 127,61
50 - 90Kr. 10,203Kr. 102,03
100 - 240Kr. 8,931Kr. 89,31
250 - 490Kr. 8,019Kr. 80,19
500 +Kr. 7,817Kr. 78,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7200
Producentens varenummer:
SiR626ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

165A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR626ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.75mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

83nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.26mm

Bredde

1.12 mm

Højde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET er indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM.

Pakke Power PAK SO-8

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links