Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR626ADP
- RS-varenummer:
- 204-7200
- Producentens varenummer:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,207 | Kr. 122,07 |
| 50 - 90 | Kr. 9,769 | Kr. 97,69 |
| 100 - 240 | Kr. 8,542 | Kr. 85,42 |
| 250 - 490 | Kr. 7,674 | Kr. 76,74 |
| 500 + | Kr. 7,487 | Kr. 74,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7200
- Producentens varenummer:
- SiR626ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 165A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR626ADP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.25mm | |
| Længde | 5.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 165A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR626ADP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.25mm | ||
Længde 5.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 60 V (D-S) MOSFET er indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM.
Pakke Power PAK SO-8
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Type N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 204 A 60 V Forbedring SO-8, SiDR626LDP
- Vishay Type N-Kanal 137 A 60 V Forbedring SO-8, SiR180ADP
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 80.3 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET