Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 227 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIDR
- RS-varenummer:
- 268-8285
- Producentens varenummer:
- SIDR626EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 62,31
(ekskl. moms)
Kr. 77,888
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 10 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 31,155 | Kr. 62,31 |
| 50 - 98 | Kr. 27,90 | Kr. 55,80 |
| 100 - 248 | Kr. 22,85 | Kr. 45,70 |
| 250 - 998 | Kr. 22,405 | Kr. 44,81 |
| 1000 + | Kr. 17,875 | Kr. 35,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8285
- Producentens varenummer:
- SIDR626EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 227A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIDR | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8DC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00174Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 102nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 227A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIDR | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8DC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00174Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 102nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET med kølefunktion på toppen giver ekstra plads til termisk overførsel. Den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrevskontakt, batteri- og belastningskontakt.
Afstemmet til den laveste værdi
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 227 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8DC, SIDR
- Vishay Type N-Kanal 421 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 227 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiD
- Vishay Type N-Kanal 218 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 90.5 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 415 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 78 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 153 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101