Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 227 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIDR Nej SIDR626EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 59,84

(ekskl. moms)

Kr. 74,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 24 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 29,92Kr. 59,84
50 - 98Kr. 26,855Kr. 53,71
100 - 248Kr. 21,99Kr. 43,98
250 - 998Kr. 21,54Kr. 43,08
1000 +Kr. 17,205Kr. 34,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8285
Producentens varenummer:
SIDR626EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

227A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIDR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00174Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

102nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET med kølefunktion på toppen giver ekstra plads til termisk overførsel. Den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrevskontakt, batteri- og belastningskontakt.

Afstemmet til den laveste værdi

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links