Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 90.9 A 30 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR570EP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 252-0256
- Producentens varenummer:
- SIDR570EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 55,73
(ekskl. moms)
Kr. 69,662
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,865 | Kr. 55,73 |
| 20 - 98 | Kr. 26,215 | Kr. 52,43 |
| 100 - 198 | Kr. 23,635 | Kr. 47,27 |
| 200 - 498 | Kr. 22,365 | Kr. 44,73 |
| 500 + | Kr. 20,905 | Kr. 41,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0256
- Producentens varenummer:
- SIDR570EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8DC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0042mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8DC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0042mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 90.9 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 78 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR578EP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 218 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SiDR626LEP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 126 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR5102EP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 90.5 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR104AEP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 415 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SiDR220EP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 153 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR5802EP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 39.6 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR610EP-T1-RE3